Silicon carbide (SiC) power devices are rapidly expanding their share of the global power electronics market. By surpassing the physical performance limits of conventional silicon
Karbid křemíku (SiC) se stal základním materiálem pro výkonovou elektroniku, rádiová zařízení a vysokoteplotní polovodičové aplikace. Vzhledem k tomu, že poptávka po vysoce účinných elektrických vozidlech, obnovitelných zdrojích
Karbid křemíku (SiC), zejména polytyp 4H-SiC, hraje díky svým vynikajícím elektrickým, tepelným a mechanickým vlastnostem základní roli ve výkonných a vysokofrekvenčních polovodičových zařízeních.
