Silicon carbide (SiC) power devices are rapidly expanding their share of the global power electronics market. By surpassing the physical performance limits of conventional silicon
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) กลายเป็นวัสดุหลักสำหรับอิเล็กทรอนิกส์กำลัง อุปกรณ์ RF และการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์ที่อุณหภูมิสูง เนื่องจากความต้องการยานยนต์ไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพสูง พลังงานหมุนเวียน
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) โดยเฉพาะชนิด 4H‑SiC โพลีไทป์ มีบทบาทสำคัญพื้นฐานในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังสูงและความถี่สูง เนื่องจากคุณสมบัติทางไฟฟ้า ความร้อน และกลไกที่ยอดเยี่ยม
