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SiCエピタキシーの進歩：無欠陥に近い炭化ケイ素パワーデバイスを目指して
炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスは、世界のパワーエレクトロニクス市場で急速にシェアを拡大している。従来のシリコンの物理的性能限界を超えることで
炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスは、世界のパワーエレクトロニクス市場で急速にシェアを拡大している。従来のシリコンの物理的性能限界を超えることで
炭化ケイ素（SiC）基板は、パワーエレクトロニクス、RFデバイス、高温半導体アプリケーションの基幹材料となっている。高効率の電気自動車や再生可能エネルギーへの需要が高まるにつれて、SiC基板はパワーエレクトロニクスやRFデバイス、高温半導体用途の基幹材料となっている。
炭化ケイ素（SiC）、特に4H-SiCポリタイプは、その優れた電気的、熱的、機械的特性により、高出力および高周波半導体デバイスにおいて基礎的な役割を果たしている。