A szilícium-karbid (SiC) teljesítményeszközök gyorsan növelik részesedésüket a globális teljesítményelektronikai piacon. A hagyományos szilícium-elektromos áramkörök fizikai teljesítményének határait meghaladva
A szilícium-karbid (SiC) szubsztrátumok a teljesítményelektronika, az RF-eszközök és a magas hőmérsékletű félvezető alkalmazások alapanyagává váltak. Mivel a nagy hatékonyságú elektromos járművek, a megújuló
A szilícium-karbid (SiC), különösen a 4H-SiC polytípus, kiváló elektromos, termikus és mechanikai tulajdonságai miatt alapvető szerepet játszik a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás félvezető eszközökben.
