Maailman johtava puolijohdemateriaalin toimittaja
SÄHKÖPOSTI: [email protected]
Piikarbidin (SiC) teholaitteet kasvattavat nopeasti osuuttaan maailmanlaajuisilla tehoelektroniikkamarkkinoilla. Ylittämällä perinteisten pii- ja elektroniikkalaitteiden fysikaaliset suorituskykyrajat
Piikarbidialustoista (SiC) on tullut kulmakivimateriaali tehoelektroniikassa, RF-laitteissa ja korkean lämpötilan puolijohdesovelluksissa. Koska kysyntä korkeahyötysuhteisten sähköajoneuvojen, uusiutuvien
Piikarbidilla (SiC), erityisesti 4H-SiC-polytyypillä, on perustavanlaatuinen rooli suuritehoisissa ja -taajuisissa puolijohdekomponenteissa sen erinomaisen sähköisen, termisen ja mekaanisen kestävyyden vuoksi.
