Fornitore leader mondiale di materiali per semiconduttori
E-MAIL: [email protected]
1. Introduzione: Dai limiti del silicio alle scoperte sull'ampio bandgap Con l'accelerazione delle industrie globali verso l'elettrificazione e la digitalizzazione, i semiconduttori convenzionali a base di silicio (Si) si stanno avvicinando al loro limite fisico.
Nel campo dei sistemi microelettromeccanici (MEMS), le prestazioni dei dispositivi sono molto sensibili alla qualità dei materiali su scala micro e nanometrica. Tra tutti i parametri del substrato, la superficie
I wafer SiC sono diventati un materiale fondamentale nella moderna elettronica di potenza e nei dispositivi ad alta frequenza, grazie alle loro superiori proprietà fisiche ed elettriche. Rispetto ai materiali convenzionali
I substrati di carburo di silicio (SiC) sono diventati un materiale fondamentale per l'elettronica di potenza, i dispositivi RF e le applicazioni di semiconduttori ad alta temperatura. Con l'aumento della domanda di veicoli elettrici ad alta efficienza, di fonti di energia
I wafer di carburo di silicio (SiC) sono diventati un materiale fondamentale per l'elettronica ad alta potenza, ad alta frequenza e ad alta temperatura, in particolare per i veicoli elettrici, i sistemi di energia rinnovabile, i caricabatterie veloci e i sistemi di ricarica.
