1. Inledning: Från kiselgränser till genombrott med breda bandgap I takt med att globala industrier accelererar mot elektrifiering och digitalisering närmar sig konventionella kiselbaserade halvledare sina fysiska gränser.
Inom området mikroelektromekaniska system (MEMS) är komponenternas prestanda mycket känsliga för materialkvaliteten på mikro- och nanoskalan. Bland alla substratparametrar är ytan
SiC-wafer har blivit ett grundläggande material i modern kraftelektronik och högfrekventa enheter, drivet av deras överlägsna fysiska och elektriska egenskaper. Jämfört med konventionella
Substrat av kiselkarbid (SiC) har blivit ett viktigt material för kraftelektronik, RF-enheter och halvledartillämpningar för höga temperaturer. I takt med att efterfrågan på högeffektiva elfordon, förnybara
Kiselkarbidskivor (SiC) har blivit ett grundläggande material för högeffekts-, högfrekvens- och högtemperaturelektronik, särskilt i elfordon, system för förnybar energi, snabbladdare och
