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炭化ケイ素基板が新エネルギーと5Gの「必須素材」になった理由
1.はじめにシリコンの限界からワイドバンドギャップのブレークスルーへ 世界の産業が電化とデジタル化に向けて加速する中、従来のシリコン（Si）ベースの半導体は物理的な限界に近づきつつある。
1.はじめにシリコンの限界からワイドバンドギャップのブレークスルーへ 世界の産業が電化とデジタル化に向けて加速する中、従来のシリコン（Si）ベースの半導体は物理的な限界に近づきつつある。
微小電気機械システム（MEMS）の分野では、デバイスの性能はマイクロスケールおよびナノスケールの材料品質に非常に敏感である。あらゆる基板パラメーターの中でも、表面
SiCウェハは、その優れた物理的・電気的特性により、現代のパワーエレクトロニクスや高周波デバイスの基礎的な材料となっている。従来の
炭化ケイ素（SiC）基板は、パワーエレクトロニクス、RFデバイス、高温半導体アプリケーションの基幹材料となっている。高効率の電気自動車や再生可能エネルギーへの需要が高まるにつれて、SiC基板はパワーエレクトロニクスやRFデバイス、高温半導体用途の基幹材料となっている。
炭化ケイ素(SiC)ウェーハは、特に電気自動車、再生可能エネルギーシステム、急速充電器、および、電子機器などの高出力、高周波、高温エレクトロニクスの基礎材料となっている。