1. Inleiding: Van siliciumlimieten naar doorbraken in de brede bandkloof Naarmate de wereldwijde industrieën versnellen in de richting van elektrificatie en digitalisering, naderen conventionele halfgeleiders op basis van silicium (Si) hun fysische grenzen.
Op het gebied van micro-elektromechanische systemen (MEMS) zijn de prestaties van apparaten zeer gevoelig voor de materiaalkwaliteit op micro- en nanoschaal. Van alle substraatparameters zijn oppervlakte
SiC wafers zijn een fundamenteel materiaal geworden in moderne vermogenselektronica en hoogfrequente apparaten, gedreven door hun superieure fysische en elektrische eigenschappen. Vergeleken met conventionele
Siliciumcarbide (SiC) substraten zijn een belangrijk materiaal geworden voor vermogenselektronica, RF-apparaten en halfgeleidertoepassingen bij hoge temperaturen. Naarmate de vraag naar hoogrendabele elektrische voertuigen, hernieuwbare
Siliciumcarbide (SiC)-wafers zijn een fundamenteel materiaal geworden voor elektronica met hoog vermogen, hoge frequentie en hoge temperatuur, met name in elektrische voertuigen, systemen voor hernieuwbare energie, snelladers en andere toepassingen.
