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1.簡介：從矽極限到寬帶隙突破 隨著全球產業加速邁向電氣化與數位化，傳統的矽 (Si) 半導體正逐漸接近其物理極限。
在微機電系統 (MEMS) 領域中，裝置效能對於微米和奈米尺度的材料品質非常敏感。在所有基板參數中，表面
SiC 晶圓以其優異的物理和電氣特性，已成為現代電力電子和高頻裝置的基礎材料。與傳統的
碳化矽 (SiC) 基板已成為功率電子、RF 裝置和高溫半導體應用的基石材料。由於高效率電動車、可再生
碳化矽 (SiC) 晶圓已經成為高功率、高頻率和高溫電子產品的基礎材料，特別是在電動汽車、可再生能源系統、快速充電器和其他電子產品中。
