1. Bevezetés: Ahogy a globális iparágak egyre gyorsabban haladnak a villamosítás és a digitalizáció felé, a hagyományos szilícium (Si)-alapú félvezetők közelednek fizikai határaikhoz.
Ahogy a világ egyre gyorsabban halad a villamosítás, a mesterséges intelligencia és az alacsony magasságú mobilitás felé, az iparágak olyan anyagokat keresnek, amelyek nagyobb hatékonyságot, nagyobb teljesítményt és kisebb energiaveszteséget tesznek lehetővé.
A szilícium-karbid (SiC) a teljesítményelektronika területén a játékban megváltoztató anyagként jelent meg. Magas átütési feszültségének, kiváló hővezető képességének és
A szilícium-karbid (SiC) epitaxia a mai nagyfeszültségű, nagyfrekvenciás és nagy hatásfokú félvezető eszközök egyik legkritikusabb folyamata. Bár ez a vékony kristályos réteg
The global shift toward electrification, renewable energy, and high-efficiency power electronics has brought silicon carbide (SiC) wafers into the spotlight. While SiC crystal growth and
