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실리콘 카바이드 기판이 새로운 에너지와 5G를 위한 “필수 소재'가 된 이유
1. 소개: 실리콘 한계에서 와이드 밴드갭 혁신까지 전 세계 산업이 전기화 및 디지털화를 향해 가속화됨에 따라 기존 실리콘(Si) 기반 반도체는 물리적 한계에 다다르고 있습니다.
1. 소개: 실리콘 한계에서 와이드 밴드갭 혁신까지 전 세계 산업이 전기화 및 디지털화를 향해 가속화됨에 따라 기존 실리콘(Si) 기반 반도체는 물리적 한계에 다다르고 있습니다.
전 세계가 전기화, 인공지능, 저고도 모빌리티를 향해 가속화됨에 따라 업계에서는 더 높은 효율, 더 높은 전력, 더 낮은 에너지 손실을 가능하게 하는 소재를 찾고 있습니다.
실리콘 카바이드(SiC)는 전력 전자 분야의 판도를 바꾸는 재료로 부상했습니다. 높은 항복 전압과 뛰어난 열 전도성, 그리고
실리콘 카바이드(SiC) 에피택시는 오늘날의 고전압, 고주파, 고효율 반도체 디바이스의 가장 중요한 공정 중 하나입니다. 이 얇은 결정층은
The global shift toward electrification, renewable energy, and high-efficiency power electronics has brought silicon carbide (SiC) wafers into the spotlight. While SiC crystal growth and