Ведущий мировой поставщик полупроводниковых материалов
E-MAIL: [email protected]
1. Введение: От кремниевых пределов к прорывам в области широкополосных транзисторов По мере того как мировая промышленность ускоряется в направлении электрификации и цифровизации, традиционные полупроводники на основе кремния (Si) приближаются к своим физическим возможностям.
По мере того как мир ускоряется в направлении электрификации, искусственного интеллекта и мобильности на низких высотах, промышленность ищет материалы, обеспечивающие более высокую эффективность, большую мощность и меньшие потери энергии.
Silicon Carbide (SiC) has emerged as a game-changing material in the field of power electronics. Thanks to its high breakdown voltage, excellent thermal conductivity, and
Silicon carbide (SiC) epitaxy is one of the most critical processes behind today’s high-voltage, high-frequency, and high-efficiency semiconductor devices. Although this thin crystalline layer is
Глобальный переход к электрификации, возобновляемым источникам энергии и высокоэффективной силовой электронике привел к тому, что пластины из карбида кремния (SiC) оказались в центре внимания. В то время как рост кристаллов SiC и
