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炭化ケイ素基板が新エネルギーと5Gの「必須素材」になった理由
1.はじめにシリコンの限界からワイドバンドギャップのブレークスルーへ 世界の産業が電化とデジタル化に向けて加速する中、従来のシリコン（Si）ベースの半導体は物理的な限界に近づきつつある。
1.はじめにシリコンの限界からワイドバンドギャップのブレークスルーへ 世界の産業が電化とデジタル化に向けて加速する中、従来のシリコン（Si）ベースの半導体は物理的な限界に近づきつつある。
炭化ケイ素(SiC)は、パワーエレクトロニクスの分野を大きく変える材料として登場した。その高い耐圧、優れた熱伝導性、そして
炭化ケイ素（SiC）エピタキシーは、今日の高電圧、高周波、高効率半導体デバイスを支える最も重要なプロセスのひとつである。この薄い結晶層は
The global shift toward electrification, renewable energy, and high-efficiency power electronics has brought silicon carbide (SiC) wafers into the spotlight. While SiC crystal growth and
