1. บทนำ: จากข้อจำกัดของซิลิคอนสู่การค้นพบช่องว่างพลังงานกว้าง เมื่ออุตสาหกรรมทั่วโลกเร่งสู่การไฟฟ้าและการดิจิทัล เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ซิลิคอน (Si) แบบดั้งเดิมกำลังเข้าใกล้ขีดจำกัดทางกายภาพ
ในขณะที่โลกกำลังเร่งเข้าสู่ยุคไฟฟ้า อุตสาหกรรมปัญญาประดิษฐ์ และการเคลื่อนที่ในชั้นบรรยากาศต่ำ อุตสาหกรรมต่างๆ กำลังแสวงหาวัสดุที่ช่วยให้มีประสิทธิภาพสูงขึ้น กำลังไฟฟ้าสูงขึ้น และการสูญเสียพลังงานน้อยลง.
Silicon Carbide (SiC) has emerged as a game-changing material in the field of power electronics. Thanks to its high breakdown voltage, excellent thermal conductivity, and
Silicon carbide (SiC) epitaxy is one of the most critical processes behind today’s high-voltage, high-frequency, and high-efficiency semiconductor devices. Although this thin crystalline layer is
การเปลี่ยนแปลงระดับโลกไปสู่การใช้ไฟฟ้า พลังงานหมุนเวียน และอิเล็กทรอนิกส์กำลังไฟฟ้าประสิทธิภาพสูง ได้ทำให้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ได้รับความสนใจอย่างมาก ในขณะที่การเติบโตของผลึก SiC และ
