1. Inleiding: Van siliciumlimieten naar doorbraken in de brede bandkloof Naarmate de wereldwijde industrieën versnellen in de richting van elektrificatie en digitalisering, naderen conventionele halfgeleiders op basis van silicium (Si) hun fysische grenzen.
Naarmate de wereld versnelt in de richting van elektrificatie, kunstmatige intelligentie en mobiliteit op lage hoogte, zijn industrieën op zoek naar materialen die een hogere efficiëntie, een hoger vermogen en minder energieverlies mogelijk maken.
Siliciumcarbide (SiC) heeft zich ontpopt als een baanbrekend materiaal op het gebied van vermogenselektronica. Dankzij zijn hoge doorslagspanning, uitstekende thermische geleidbaarheid en
Epitaxie van siliciumcarbide (SiC) is een van de meest kritische processen achter de hedendaagse halfgeleiderapparaten met hoog voltage, hoge frequentie en hoge efficiëntie. Hoewel deze dunne kristallijne laag
De wereldwijde verschuiving naar elektrificatie, hernieuwbare energie en hoogefficiënte vermogenselektronica heeft siliciumcarbide (SiC) wafers in de schijnwerpers gezet. Terwijl de groei van SiC-kristallen en
