V oblasti mikroelektromechanických systémů (MEMS) je výkon zařízení velmi citlivý na kvalitu materiálu v mikro- a nanorozměrech. Ze všech parametrů substrátu je povrch
Karbid křemíku (SiC) se stal základním materiálem pro výkonovou elektroniku, rádiová zařízení a vysokoteplotní polovodičové aplikace. Vzhledem k tomu, že poptávka po vysoce účinných elektrických vozidlech, obnovitelných zdrojích
Karbid křemíku (SiC) se stal základním materiálem pro výkonnou, vysokofrekvenční a vysokoteplotní elektroniku, zejména v elektromobilech, systémech obnovitelných zdrojů energie, rychlonabíječkách a dalších zařízeních.
