Inom området mikroelektromekaniska system (MEMS) är komponenternas prestanda mycket känsliga för materialkvaliteten på mikro- och nanoskalan. Bland alla substratparametrar är ytan
Substrat av kiselkarbid (SiC) har blivit ett viktigt material för kraftelektronik, RF-enheter och halvledartillämpningar för höga temperaturer. I takt med att efterfrågan på högeffektiva elfordon, förnybara
Kiselkarbidskivor (SiC) har blivit ett grundläggande material för högeffekts-, högfrekvens- och högtemperaturelektronik, särskilt i elfordon, system för förnybar energi, snabbladdare och
