Maailman johtava puolijohdemateriaalin toimittaja
SÄHKÖPOSTI: [email protected]
Mikroelektromekaanisten järjestelmien (MEMS) alalla laitteiden suorituskyky on erittäin herkkä mikro- ja nanomittakaavan materiaalien laadulle. Kaikista substraattiparametreista pinta
Piikarbidialustoista (SiC) on tullut kulmakivimateriaali tehoelektroniikassa, RF-laitteissa ja korkean lämpötilan puolijohdesovelluksissa. Koska kysyntä korkeahyötysuhteisten sähköajoneuvojen, uusiutuvien
Piikarbidikiekkoista (SiC) on tullut perustavanlaatuinen materiaali suuritehoisessa, suurtaajuisessa ja korkean lämpötilan elektroniikassa, erityisesti sähköajoneuvoissa, uusiutuvien energialähteiden järjestelmissä, pikalatauslaitteissa ja sähköautoissa.
