Im Bereich der mikroelektromechanischen Systeme (MEMS) hängt die Leistung von Bauteilen stark von der Materialqualität im Mikro- und Nanobereich ab. Unter allen Substratparametern ist die Oberfläche
Siliziumkarbid (SiC)-Substrate haben sich zu einem Eckpfeiler für Leistungselektronik, RF-Bauteile und Hochtemperatur-Halbleiteranwendungen entwickelt. Da die Nachfrage nach hocheffizienten Elektrofahrzeugen, erneuerbaren
Siliziumkarbid (SiC)-Wafer sind zu einem grundlegenden Material für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturelektronik geworden, insbesondere für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme, Schnellladegeräte und
