Mikroelektromekanik Sistemler (MEMS) alanında, cihaz performansı mikro ve nano ölçekte malzeme kalitesine oldukça duyarlıdır. Tüm alt tabaka parametreleri arasında, yüzey
Silisyum karbür (SiC) substratlar güç elektroniği, RF cihazları ve yüksek sıcaklık yarı iletken uygulamaları için temel bir malzeme haline gelmiştir. Yüksek verimli elektrikli araçlara olan talep, yenilenebilir
Silisyum karbür (SiC) gofretler, özellikle elektrikli araçlarda, yenilenebilir enerji sistemlerinde, hızlı şarj cihazlarında ve yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık elektroniği için temel bir malzeme haline gelmiştir.
