ในสาขาไมโครอิเล็กทรอเมคานิคอลซิสเต็มส์ (MEMS) ประสิทธิภาพของอุปกรณ์มีความไวต่อคุณภาพของวัสดุในระดับไมโครและนาโนเป็นอย่างมาก ในบรรดาพารามิเตอร์ของวัสดุรองรับทั้งหมด พื้นผิว
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) กลายเป็นวัสดุหลักสำหรับอิเล็กทรอนิกส์กำลัง อุปกรณ์ RF และการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์ที่อุณหภูมิสูง เนื่องจากความต้องการยานยนต์ไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพสูง พลังงานหมุนเวียน
แผ่นซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ได้กลายเป็นวัสดุพื้นฐานสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง ความถี่สูง และอุณหภูมิสูง โดยเฉพาะอย่างยิ่งในยานยนต์ไฟฟ้า ระบบพลังงานหมุนเวียน เครื่องชาร์จเร็ว และ
